六大核心特點
無損傷冷加工 · 高精度自動化 · 標(biāo)準(zhǔn)化量產(chǎn)適配
無損傷冷加工工藝
355nm皮秒紫外激光光化學(xué)刻蝕，熱影響區(qū)極低，杜絕熱灼傷、微裂紋、粉塵殘留，高度適配SiC、GaN等脆性第三代半導(dǎo)體晶圓。
雙工藝全場景適配
Soft Mark軟打標(biāo)+Deep Mark深刻兩大核心工藝，適配拋光片、外延片、研磨片、帶保護(hù)膜晶圓，標(biāo)記耐腐蝕、耐高溫烘烤。
高精度自動化定位
CCD同軸視覺系統(tǒng)+AI智能識別算法，自動尋邊、缺口對位，定位精度最高可達(dá)±30μm，打標(biāo)一致性好。
標(biāo)準(zhǔn)化量產(chǎn)適配
兼容SEMI國際標(biāo)準(zhǔn)碼型，支持SECS/GEM協(xié)議無縫對接MES，適配Class1/Class10高等級潔凈車間。
國產(chǎn)化高性價比
對比進(jìn)口設(shè)備交付周期短、本土化極速維保、運維成本低，碼型與InnoLas設(shè)備通用適配，可平滑替代。
全尺寸多材質(zhì)兼容
覆蓋2-12英寸全規(guī)格晶圓，兼容硅片、碳化硅、氮化鎵、藍(lán)寶石、鈮酸鋰等襯底，研發(fā)打樣到大規(guī)模量產(chǎn)全覆蓋。
設(shè)備機型分類
實驗室研發(fā)到量產(chǎn)產(chǎn)線，按需選型
半自動機型
實驗室 / 小批量專用
- 手動上片模式，搭配CCD視覺對位系統(tǒng)
- 支持2~8英寸晶圓
- 適用于產(chǎn)品研發(fā)、樣品打樣、小批量試產(chǎn)
全自動量產(chǎn)機型（FOUP盒式）
潔凈車間量產(chǎn)產(chǎn)線
- 全自動機械手+FOUP晶圓盒自動上下料
- 支持4/6/8/12英寸全尺寸晶圓
- 支持正面、背面及帶保護(hù)膜Tape Mark打標(biāo)
核心激光工藝
355nm皮秒紫外冷激光 · 雙打標(biāo)工藝按需切換
Soft Mark 軟打標(biāo)
通過淺表層改性實現(xiàn)標(biāo)識，不破壞晶圓拋光面，可兼容后續(xù)鍍膜、研磨、高溫制程。標(biāo)記層耐酸堿清洗、耐高溫烘烤，穩(wěn)定性極強。
Deep Mark 深刻打標(biāo)
深層永久性標(biāo)識刻印，適配研磨片、厚襯底等對標(biāo)記深度有要求的晶圓品類，標(biāo)記永久不可篡改。
設(shè)備關(guān)鍵規(guī)格參數(shù)
支持打標(biāo)碼型：SEMI OCR 點陣字符 / SEMI BC412 條形碼 / SEMI T7 Data Matrix 二維碼 / Fiducial 定位標(biāo)記
| 激光光源 | 355nm 皮秒紫外激光（冷加工） |
|---|---|
| 打標(biāo)形式 | 軟打標(biāo)（Soft Mark）/ 深刻（Deep Mark） |
| Wafer 加工尺寸 | 2" - 12" 全規(guī)格 |
| 適配材料 | Si 硅片 / SiC 碳化硅 / GaN 氮化鎵 / 藍(lán)寶石 / LiNbO3 / GaAs |
| 適配表面 | 拋光片 / 外延片EPI / 研磨片 / As-cut裸片 / 帶藍(lán)膜·保護(hù)膜晶圓 |
| 打標(biāo)速度 | ≤7000mm/s |
| 視覺系統(tǒng) | CCD同軸視覺，AI自動尋邊、晶圓缺口精準(zhǔn)定位 |
| 定位精度 | 高精度版本可達(dá) ±30μm |
| 字體標(biāo)準(zhǔn) | SEMI 字體 |
| 產(chǎn)能節(jié)拍 | ≥100片/小時 |
| 潔凈適配 | Class1 / Class10 高等級潔凈室 |
| 通訊協(xié)議 | SECS/GEM，可對接工廠MES；支持單機獨立運行 |
| 選配功能 | OCR讀碼復(fù)檢、晶圓測厚、真空機械手、除塵模組、晶圓翻轉(zhuǎn)機構(gòu)（正反面打標(biāo)） |
典型應(yīng)用場景
晶圓唯一ID全程追溯，滿足車規(guī)級、工業(yè)級品質(zhì)管控要求
功率器件 / 第三代半導(dǎo)體
SiC IGBT、GaN器件晶圓標(biāo)識，脆性襯底無損傷冷加工，保障良率。
MEMS 傳感器
微小結(jié)構(gòu)件晶圓級標(biāo)識，軟打標(biāo)不傷功能結(jié)構(gòu)。
光電子器件
化合物襯底晶圓標(biāo)識，適配鈮酸鋰、砷化鎵等材料。
先進(jìn)封裝 Chiplet
全流程追溯編碼，對接MES實現(xiàn)芯片全鏈路品質(zhì)升級。
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